Počet záznamů: 1  

Mapping of dopants in silicon by injection of electrons

  1. SYS0367280
    LBL
      
    01941^^^^^2200325^^^450
    005
      
    20240103195840.9
    100
      
    $a 20111121d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng $d eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
    215
      
    $a 2 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0367285 $1 010 $a 978-3-00-033910-3 $1 200 1 $a MC 2011 - Microscopy Conference Kiel $v IM7.P198:1-2 $1 210 $a Kiel $c DGE $d 2011
    610
    0-
    $a dopant
    610
    0-
    $a silicon
    610
    0-
    $a scanning electron microscopy
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0052204 $a Hovorka $b Miloš $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101580 $a Konvalina $b Ivo $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101547 $a Frank $b Luděk $i D1: Elektronová mikroskopie $j D1: Electron Microscopy $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0016438 $a Mikulík $b P. $y CZ $4 070
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.