Počet záznamů: 1  

Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures

  1. SYS0356263
    LBL
      
    01831^^^^^2200289^^^450
    005
      
    20240103194830.8
    014
      
    $a 78651413148 $2 SCOPUS
    017
    70
    $a 10.1109/ASDAM.2010.5667006 $2 DOI
    100
      
    $a 20120315d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng $d eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures
    215
      
    $a 4 s.
    300
      
    $a UT WOS nezjištěno
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0375804 $1 010 $a 978-1-4244-8574-1 $1 200 1 $a Conference Proceedings ASDAM 2010 $v S. 275-278 $1 210 $a Piscataway $c IEEE $d 2010 $1 702 1 $a Breza $b J. $4 340 $1 702 1 $a Donoval $b D. $4 340
    610
    0-
    $a Chemical sensors
    610
    0-
    $a Interface phenomena
    610
    0-
    $a Semiconductor devices
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0101745 $a Šrobár $b Fedor $i 005 $j Speech Synthesis and Signal Processing $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101728 $a Procházková $b Olga $i 003 $j Technology of Materials for Electronics and Optoelectronics $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.