Počet záznamů: 1  

Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects

  1. SYS0355867
    LBL
      
    01577^^^^^2200301^^^450
    005
      
    20240103194805.5
    100
      
    $a 20110202d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects
    215
      
    $a 4 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0355863 $1 010 $a 978-1-4244-8572-7 $1 200 1 $a ASDAM 2010 $v S. 207-210 $1 210 $a Piscataway $c IEEE $d 2010 $1 702 1 $a Breza $b J. $4 340 $1 702 1 $a Donoval $b D. $4 340 $1 702 1 $a Vavrinsky $b E. $4 340
    610
    0-
    $a SI GaAs detectors
    610
    0-
    $a neutron bombardment
    610
    0-
    $a deep levels
    610
    0-
    $a PICTS
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0045015 $a Dubecký $b F. $y SK $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0269471 $a Ladzianský $b M. $y SK $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100287 $a Kindl $b Dobroslav $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0099572 $a Nečas $b V. $y SK $4 070
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.