Počet záznamů: 1
Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
SYS 0354206 LBL 01203^^^^^2200277^^^450 005 20240103194622.1 014 $a 000281306500036 $2 WOS 017 $a 10.1063/1.3475771 $2 DOI 100 $a 20110112d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor 215 $a 3 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256166 $1 011 $a 0003-6951 $e 1077-3118 $1 200 1 $a Applied Physics Letters $v Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3 $1 210 $c AIP Publishing 610 0-
$a MOSFET 700 -1
$3 cav_un_auth*0268353 $a Ciccarelli $b C. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0242842 $a Park $b B.G. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0250905 $a Ogawa $b S. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0250906 $a Ferguson $b A.J. $y GB $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0259024 $a Wunderlich $b Joerg $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1