Počet záznamů: 1  

The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene

  1. SYS0353061
    LBL
      
    02197^^^^^2200373^^^450
    005
      
    20180710113650.3
    014
      
    $a 000283453700075 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1021/nn1010914 $2 DOI
    100
      
    $a 20110103d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene
    215
      
    $a 9 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0320512 $1 011 $a 1936-0851 $1 200 1 $a ACS Nano $v Roč. 4, č. 10 (2010), s. 6055-6063 $1 205 $a PRINT
    610
    0-
    $a graphene
    610
    0-
    $a Raman spectroscopy
    610
    0-
    $a spectroelectrochemistry
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0102823 $a Kalbáč $b Martin $p UFCH-W $w Oddělení nízkodimenzionálních systémů $4 070 $o Odd. nízkodimenzionálních systémů $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0267723 $a Reina-Cecco $b A. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0244241 $a Farhat $b H. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0244242 $a Kong $b J. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0102829 $a Kavan $b Ladislav $p UFCH-W $o Odd. elektrochemických materiálů $w Oddělení elektrochemických materiálů $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0241142 $a Dresselhaus $b M. S. $y US $4 070