Počet záznamů: 1
The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene
SYS 0353061 LBL 02197^^^^^2200373^^^450 005 20240103194507.9 014 $a 000283453700075 $2 WOS 017 $a 10.1021/nn1010914 $2 DOI 100 $a 20110103d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene 215 $a 9 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0320512 $1 011 $a 1936-0851 $e 1936-086X $1 200 1 $a ACS Nano $v Roč. 4, č. 10 (2010), s. 6055-6063 $1 210 $c American Chemical Society 610 0-
$a graphene 610 0-
$a Raman spectroscopy 610 0-
$a spectroelectrochemistry 700 -1
$3 cav_un_auth*0102823 $a Kalbáč $b Martin $i Odd. nízkodimenzionálních systémů $j Dept. of Low-dimensional Systems $p UFCH-W $w Low-dimensional Systems $4 070 $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0267723 $a Reina-Cecco $b A. $y US $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0244241 $a Farhat $b H. $y US $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0244242 $a Kong $b J. $y US $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0102829 $a Kavan $b Ladislav $i Odd. elektrochemických materiálů $j Dept. of Electrochemical Materials $p UFCH-W $w Electrochemical Materials $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0241142 $a Dresselhaus $b M. S. $y US $4 070
Počet záznamů: 1