Počet záznamů: 1
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
SYS 0336403 LBL 01578^^^^^2200349^^^450 005 20240103192818.0 014 $a 000265659300122 $2 WOS 017 $a doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.09.034 $2 DOI 100 $a 20100201d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs 215 $a 3 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs $z cze 610 0-
$a GaMnAs 610 0-
$a MBE 610 0-
$a diluted magnetic semiconductors 700 -1
$3 cav_un_auth*0100416 $a Novák $b Vít $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100643 $a Olejník $b Kamil $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100166 $a Cukr $b Miroslav $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1