Počet záznamů: 1
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
SYS 0330532 LBL 01871^^^^^2200385^^^450 005 20240103192211.0 014 $a 000267444900056 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.spmi.2008.12.002 $2 DOI 100 $a 20091015d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a GB 200 1-
$a Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257627 $1 011 $a 0749-6036 $e 1096-3677 $1 200 1 $a Superlattices and Microstructures $v Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin $z cze 610 0-
$a quantum dots 610 0-
$a metal-organic vapor phase epitaxy 610 0-
$a indium arsenide 610 0-
$a gallium arsenide 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a AFM 700 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0255147 $a Komarnitskyy $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1