Počet záznamů: 1
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures
SYS 0328675 LBL 01697^^^^^2200349^^^450 005 20240103192016.0 014 $a 000266263300075 $2 WOS 100 $a 20090831d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures 215 $a 8 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256872 $1 011 $a 0021-8979 $e 1089-7550 $1 200 1 $a Journal of Applied Physics $v Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8 $1 210 $c AIP Publishing 541 1-
$a Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC $z cze 610 0-
$a nitrides 610 0-
$a silicon carbide 610 0-
$a deep levels 610 0-
$a DLTS 700 -1
$3 cav_un_auth*0100287 $a Kindl $b Dobroslav $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100327 $a Krištofik $b Jozef $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100372 $a Mareš $b Jiří J. $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100616 $a Výborný $b Zdeněk $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0219174 $a Leys $b M.R. $y BE $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0219175 $a Boeykens $b S. $y BE $4 070
Počet záznamů: 1