Počet záznamů: 1  

Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode

  1. SYS0000388
    LBL
      
    03930^^^^^2200409^^^450
    005
      
    20240103173501.4
    100
      
    $a 20050510d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode
    215
      
    $a 5 s.
    300
      
    $a Číslo záznamu je URE-Y 20050026.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0290773 $1 011 $a 1610-1634 $1 200 1 $a Physica Status Solidi C $e Conferences and critical reviews $v Roč. 2, č. 4 (2005), s. 1444-1448
    541
    1-
    $a Charakterizace InAs/AlSb dvojite tunelove barierove heterostruktury $z cze
    610
    0-
    $a scanning tunnelling microscopy
    610
    0-
    $a ballistic transport
    610
    0-
    $a semiconductor heterojunctions
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0101757 $a Vaniš $b Jan $p URE-Y $w Synthesis and characterization of nanomaterials $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020931 $a Chow $b D. H. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101746 $a Šroubek $b Filip $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0020932 $a McGill $b T. C. M. $y US $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101765 $a Walachová $b Jarmila $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.