Počet záznamů: 1  

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

  1. 1.
    CICCARELLI, C., PARK, B.G., OGAWA, S., FERGUSON, A.J., WUNDERLICH, J. Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor. Applied Physics Letters. 2010, 97(8), 082106/1-082106/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118. Dostupné z: doi: 10.1063/1.3475771
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.