Počet záznamů: 1  

InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

  1. 1.
    HOSPODKOVÁ, A., HULICIUS, E., PANGRÁC, J., OSWALD, J., VYSKOČIL, J., KULDOVÁ, K., ŠIMEČEK, T., HAZDRA, P., CAHA, O. InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots. Journal of Crystal Growth. 2010, 312(8), 1383-1387. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002. Dostupné z: doi: 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.057
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.