Počet záznamů: 1  

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

  1. 1.
    HAZDRA, P., OSWALD, J., KOMARNITSKYY, V., KULDOVÁ, K., HOSPODKOVÁ, A., HULICIUS, E., PANGRÁC, J. Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs. Superlattices and Microstructures. 2009, 46(1-2), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677. Dostupné z: doi: 10.1016/j.spmi.2008.12.002
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.