Počet záznamů: 1  

Crystallization kinetics of amorphous alumina zirconia silica ceramics

  1. 1.
    0336711 - ÚFP 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Chráska, Tomáš - Hostomský, Jiří - Klementová, Mariana - Dubský, Jiří
    Crystallization kinetics of amorphous alumina zirconia silica ceramics.
    [Krystalizace amorfní keramiky obsahující Al2O3-ZrO2-SiO2.]
    Microscopy and Microanalysis. Roč. 15, S2 (2009), s. 1000-1001. ISSN 1431-9276. E-ISSN 1435-8115
    Grant CEP: GA AV ČR KAN300430651
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20430508; CEZ:AV0Z40320502
    Klíčová slova: Nanocomposites * Al2O3 * ZrO2 * SiO2 * Solid-state reaction
    Kód oboru RIV: JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla
    Impakt faktor: 3.035, rok: 2009

    Crystallization of amorphous alumina–zirconia–silica ceramics was studied for seven different amorphous materials produced by plasma spraying. The activation energies calculated from DSC traces decrease with increasing SiO2 concentration from 1500 to 900 kJ/mol. Values of the Avrami coefficients together with results of the microstructural observations indicate that tetragonal zirconia crystallization from materials containing more than 10 wt.% SiO2 proceeds by a diffusion-controlled mechanism with nucleation occurring predominantly at the beginning of the process. Material with almost no SiO2 exhibited a value of the Avrami exponent consistent with the crystal growth governed by processes at the phase boundary.

    Krystalizace amorfní keramiky obsahující Al2O3-ZrO2-SiO2 byla studo¬vána pro sedm různých amorfní materiálů připravených plazmovým stříkáním. Aktivační energie spočítaná z DSC stop klesá s rostoucím obsahem SiO2 od 1500 to 900 kJ/mol. Hodnoty Avramiho koeficientu stejně jako výsledky mikrostrukturních pozorování ukazují, že tetragonální ZrO2 krystalizuje, v materiálech obsahujících více jak 10 hm.% SiO2, difúzně kontrolovaným mechanismem a nuklease probíhá převážně na začátku děje. Materiál s téměř nulovým obsahem SiO2 vykazuje Avramiho exponent odpovídající růstu krystalů, který je kontrolován procesy na fázovém rozhraní.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180891

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.