Laser diode photoacoustic and FTIR laser spectroscopy of formaldehyde in the 2.3 mu m and 3.5 mu m spectral range

0336153 - ÚFCH JH 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cihelka, Jaroslav - Matulková, Irena - Civiš, Svatopluk
Laser diode photoacoustic and FTIR laser spectroscopy of formaldehyde in the 2.3 mu m and 3.5 mu m spectral range.
[Laserdiodová fotoakustická FTIR detekce fomaldehydu ve spektrálním rozsahu 2,3 a 3,5 mikrometru.]
Journal of Molecular Spectroscopy. Roč. 256, č. 1 (2009), s. 68-74. ISSN 0022-2852. E-ISSN 1096-083X
Grant CEP: GA AV ČR IAA400400705
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503
Klíčová slova: FTIR spectroscopy * absorption spectroscopy * laser diodes
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 1.542, rok: 2009

The room temperature operating GaInAsSb/AlGaAsSb based diode laser and 66 K InAsSb/InAsSbP laser diode both operating in spectral range of formaldehyde absorption 4350-4361 cm(-1) and 2821-2823 cm(-1) have been characterized and compared. Very precise arrangement of laser absorption together with high resolution Fourier transform technique was tested. The photoacoustic technique was employed to determine the detection limit of formaldehyde (less than 1 ppmV) diluted by nitrogen for the strongest absorption line of the nu(3) + nu(5) band in the emission region of the GaInAsSb/AlGaAsSb diode laser. The detection limit (less than 10 ppbV) of formaldehyde was achieved in the 2820 cm(-1) spectral range in case of InAsSb/InAsSbP laser (fundamental bands of nu(1), nu(5)).

K detekci formaldehydu byl použit za pokojové teploty pracující polovodičový GaInAsSb/AlGaAsSb laser a při 66 K pracující polovodičový laser InAsSb/InAsSbP ve spektrálních oblastech 4350 – 4361 cm-1 a 2821-2823 cm-1. Oba lasery byly porovnány pomocí FTIR spektrometrie. Byl zjištěn detekční limit formaldehydu 1 ppmV pomocí fotoakustické detekce v oblasti nejsilnější linie pásu v3+v5 v emisní oblasti GaInAsSb/AlGaAsSb laseru. Za použití InAsSb/InAsSbP byl stanoven detekční limit fotoakustické detekce na silném fundametnálním pásu v1 a v5 méně jak 10 ppbV.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180443