Optical gain at the F-band of oxidized silicon nanocrystals

0331758 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Dohnalová, Kateřina - Žídek, Karel - Ondič, Lukáš - Kůsová, Kateřina - Cibulka, Ondřej - Pelant, Ivan
Optical gain at the F-band of oxidized silicon nanocrystals.
[Optický zisk F-bandu v oxidovaných křemíkových nanokrystalech.]
Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 42, č. 13 (2009), 135102/1-135102/5. ISSN 0022-3727. E-ISSN 1361-6463
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA101120804; GA MŠMT LC510; GA AV ČR KJB100100903; GA ČR GA202/07/0818
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon nanocrystals * optical gain
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.083, rok: 2009

In this paper we present time-resolved optical gain spectroscopy using the variable stripe length technique in combination with the shifting excitation spot technique under pumping with nanosecond laser pulses. Measurements reveal positive optical gain on a nanosecond time scale at 430 nm (F-band).

Prezentujeme časově rozlišená měření spektroskopie optického zisku použitím kombinace techniky proměnného proužku a excitačního bodu při excitaci nanosekundovými laserovými pulsy. Měření vykazují kladný optický zisk v nanosekundové časové škále na 430 nm (F-band).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177190