A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics

0331194 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Boháček, P. - Huran, J. - Sekáčová, M.
A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics.
[Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs.]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576.
[International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./. Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
Grant ostatní: SGAS(SK) 2/7170/27; APRD(SK) APVV-99-P06305; APRD(SK) APVV-0459-06
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.317, rok: 2009

Using low work function metals (In, Gd, Mg) quasi-ohmic non-alloyed contacts to SI-GaAs radiation detectors have been fabricated and their I-V characteristic have been measured. Unusual transport properties of these contacts are discussed.

Na SI-GaAs detektorech záření byly připraveny za použití kovů s nízkou výstupní prací (In, Gd, Mg) kvaziohmické neslévané kontakty a byly změřeny jejich voltampérové charakteristiky. Jsou diskutovány neobvyklé transportní vlastnosti těchto kontaktů.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176781