Gallium-lanthanum-sulphide amorphous thin films prepared by pulsed laser deposition

0329448 - ÚMCH 2010 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Němec, P. - Nazabal, V. - Pavlišta, M. - Moreac, A. - Frumar, M. - Vlček, Milan
Gallium-lanthanum-sulphide amorphous thin films prepared by pulsed laser deposition.
[Amorfní tenké vrstvy Ga-La-S připravené pulzní laserovou depozicí.]
Materials Chemistry and Physics. Roč. 117, č. 1 (2009), s. 23-25. ISSN 0254-0584. E-ISSN 1879-3312
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: chalcogenides * thin film
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 2.015, rok: 2009

Thin amorphous sallium-lanthanum-sulphide films were prepared by pulsed laser deposition method. The prepared layers were characterized in terms of the structure, chemical composition and optical properties. The photo-and thermally induced phenomena were studied.

Tenké amorfní vrstvy chalkogenidů byly připraveny pulzní laserocou depozicí. Vrstvy byly charakterizovány určením struktury, chemického složení a optických vlastností. Byly studovány foto-a tepelně indkukované změny připravených vrstev.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005445