Počet záznamů: 1  

Electric field induced anisotropy modification in (Ga,Mn)As: a strategy for the precessional switching of the magnetization

  1. 1.
    0354292 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Balestriere, P. - Devolder, T. - Wunderlich, Joerg - Chappert, C.
    Electric field induced anisotropy modification in (Ga,Mn)As: a strategy for the precessional switching of the magnetization.
    Applied Physics Letters. Roč. 96, č. 14 (2010), 142504/1-142504/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    GRANT EU: European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: magnetic semiconductors * spintronics
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.820, rok: 2010

    We propose a scheme for the precessional switching of the magnetization in the magnetic semiconductor (Ga,Mn)As using cubic anisotropy field reduction triggered by electric field and a small assisting magnetic field.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193330

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.