Photoelectron spectroscopy study of PuCoGa.sub.5./sub. thin films

0331986 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Eloirdi, R. - Havela, L. - Gouder, T. - Shick, Alexander - Rebizant, J. - Huber, F. - Caciuffo, R.
Photoelectron spectroscopy study of PuCoGa₅ thin films.
[Studium tenkých vrstev PuCoGa₅ fotoelektronovou spektroskopií.]
Journal of Nuclear Materials. Roč. 385, č. 1 (2009), 8-10. ISSN 0022-3115. E-ISSN 1873-4820
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: electronic structure * electron correlations * photoemission
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.933, rok: 2009

Thin layers of PuCoGax (x = 4 to 18) have been prepared by dc sputtering from a PuCoGa5 single crystal target, and investigated in situ by X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy. We could achieve broad composition variability (monitored by the Pu-4f, Co-2p and Ga-2p core-level spectra). The results are compared to the valence band spectra reported previously for PuCoGa5. Our experiments reveal that some Ga excess was likely for those original data. We demonstrate that there is a tendency to the segregation of Ga at the surface, which has an important effect on the valence band spectra.

Tenké vrstvy PuCoGax (x = 4 - 18) byly připraveny dc naprašováním z terčíku monokrystalu PuCoGa5 a zkoumány in situ rentgenovou a ultrafialovou fotoelektronovou spektroskopií. Tímto způsobem lze dosáhnout vysoké variability složení (kontrolováno měřením spekter hladin Pu-4f, Co-2p a Ga-2p). Výsledky jsou porovnány s valenčními spektry publikovanými dříve pro PuCoGa5. Naše experimenty ukazují pravděpodobný přebytek Ga v původních datech. Prokázali jsme silnou tendenci k segregaci Ga na povrch, což má významný vliv na valenční spektra.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177354