Počet záznamů: 1
Universal radiative lifetimes in the long-lived luminescence of Si quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0577360 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Universal radiative lifetimes in the long-lived luminescence of Si quantum dots Tvůrce(i) Popelář, Tomáš (FZU-D) ORCID
Galář, Pavel (FZU-D) ORCID
Matějka, Filip (FZU-D)
Morselli, G. (IT)
Ceroni, P. (IT)
Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Journal of Physical Chemistry C. - : American Chemical Society - ISSN 1932-7447
Roč. 127, č. 41 (2023), s. 20426-20437Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova silicon quantum dots ; internal quantum yield ; photoluminescence lifetime Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP GA23-05837S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 001079016900001 EID SCOPUS 85176085339 DOI 10.1021/acs.jpcc.3c05423 Anotace We quantify the dependence of radiative lifetimes of long-lived photoluminescence of silicon quantum dots on the emission photon energy and show that the derived dependence is universal in silicon quantum dots regardless of the fabrication method. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2024 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0348594
Počet záznamů: 1