Počet záznamů: 1
Effect of irradiation and annealing performed with bias voltage applied across the coupling capacitors on the interstrip resistance of ATLAS ITk silicon strip sensors
- 1.
SYSNO 0570817 Název Effect of irradiation and annealing performed with bias voltage applied across the coupling capacitors on the interstrip resistance of ATLAS ITk silicon strip sensors Tvůrce(i) Kroll, Jiří (FZU-D) ORCID
Allport, P. P. (GB)
Chisholm, A. (GB)
Dudáš, D. (CZ)
Fadeyev, V. (US)
George, W. (GB)
Gonella, L. (GB)
Kopsalis, I. (GB)
Kvasnička, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Latoňová, Věra (FZU-D) ORCID
Lomas, J. (GB)
Martinez-Mckinney, F. (US)
Mikeštíková, Marcela (FZU-D) RID, ORCID
Shi, X. (CN)
Tůma, Pavel (FZU-D)
Ullan, M. (ES)
Unno, Y. (JP)Korespondující/senior Kroll, Jiří - Korespondující autor Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 1047, Feb (2023). - : Elsevier Číslo článku 167726 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LTT17018 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika LM2018104 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova ATLAS inner tracker * silicon strip sensors * gamma irradiation * annealing URL https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.167726 Trvalý link https://hdl.handle.net/11104/0342156
Počet záznamů: 1