Počet záznamů: 1
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers
- 1.
SYSNO 0562801 Název Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Čížek, J. (CZ)
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Batysta, Jan (FZU-D) ORCID
Liedke, M.O. (DE)
Hirschmann, E. (DE)
Butterling, M. (DE)
Wagner, A. (DE)Korespondující/senior Hospodková, Alice - Korespondující autor Zdroj.dok. Materials. Roč. 15, č. 19 (2022). - : MDPI Číslo článku 6916 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GF22-28001K GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika PAN-20-19, CZ - Česká republika, PL - Polsko CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. CH Klíč.slova GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE URL https://hdl.handle.net/11104/0334994 Trvalý link https://hdl.handle.net/11104/0334994 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0562801.pdf 1 4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen
Počet záznamů: 1