Počet záznamů: 1
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers
- 1.
SYSNO ASEP 0562801 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Čížek, J. (CZ)
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Batysta, Jan (FZU-D) ORCID
Liedke, M.O. (DE)
Hirschmann, E. (DE)
Butterling, M. (DE)
Wagner, A. (DE)Celkový počet autorů 12 Číslo článku 6916 Zdroj.dok. Materials. - : MDPI - ISSN 1996-1944
Roč. 15, č. 19 (2022)Poč.str. 13 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova GaN ; defects ; positron annihilation spectroscopy ; photoluminescence ; MOVPE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GF22-28001K GA ČR - Grantová agentura ČR EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000867125200001 EID SCOPUS 85139908156 DOI https://doi.org/10.3390/ma15196916 Anotace A set of GaN layers prepared by MOVPE under different technological conditions were investigated using variable energy positron annihilation spectroscopy (VEPAS) to find a link between technological conditions, GaN layer properties, and the concentration of Ga vacancies (VGa). In case of TEGa precursor, the formation of VGa was significantly influenced by the type of reactor atmosphere N2 or H2, while no similar behaviour was observed for TMGa. VGa formation was suppressed with increasing temperature for growth from TEGa. PL results show that yellow band luminescence in GaN is likely not connected with VGa, additionally, increased VGa concentration enhances excitonic luminescence. The probable explanation is that VGa prevent the formation of some other highly efficient nonradiative defects. Possible types of such defects are suggested. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://hdl.handle.net/11104/0334994
Počet záznamů: 1