- Oxidation of ablated silicon during pulsed laser deposition in a back…
Počet záznamů: 1  

Oxidation of ablated silicon during pulsed laser deposition in a background gas with different oxygen partial pressures

  1. 1.
    SYSNO0509434
    NázevOxidation of ablated silicon during pulsed laser deposition in a background gas with different oxygen partial pressures
    Tvůrce(i) Starinskiy, S.V. (RU)
    Rodionov, A.A. (RU)
    Shukhov, Y.G. (RU)
    Bulgakov, Alexander V. (FZU-D) ORCID
    Zdroj.dok. EPJ Web of Conferences, 196. S. 1-5. - les Ulis : EDP Sciences, 2019 / Markovich D.M. ; Kuibin P.A. ; Vorobyev M.A.
    Konference All-Russian School-Conference of Young cientists with International Participation Actual Problems of Thermal Physics and Physical Hydrodynamics (15), 20.11.2018 - 23.11.2018, Novosibirsk
    Číslo článku00008
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445, XE - země EU
    EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    LO1602 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.FR
    Klíč.slova SiOx films * pulsed laser deposition (PLD) * silicon ablation
    URLhttps://www.epj-conferences.org/.../epjconf_avtfg18_00008.html
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0305900
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.