Počet záznamů: 1
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures
- 1.0356263 - ÚFE 2012 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor - Procházková, Olga
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures.
Conference Proceedings ASDAM 2010. Piscataway: IEEE, 2010 - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 275-278. ISBN 978-1-4244-8574-1.
[ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 25.10.2010-27.10.2010]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Chemical sensors * Interface phenomena * Semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0194831
Počet záznamů: 1