Počet záznamů: 1
Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0324998 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ultrafast carrier dynamics in microcrystalline silicon probed by time-resolved terahertz spectroscopy Překlad názvu Ultrarychlá dynamika nositelů náboje v mikrokrystalickém křemíku studovaná pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie Tvůrce(i) Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Kužel, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Němec, Hynek (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kadlec, Filip (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Deyneka, Alexander (FZU-D)
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 79, č. 11 (2009), 115306/1-115306/13Poč.str. 13 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova microcrystalline silicon ; amorphous silicon ; terahertz ; ultrafast ; photoconductivity Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAA100100902 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000264768900088 DOI 10.1103/PhysRevB.79.115306 Anotace We present the results of optical pump - terahertz probe experiments applied to a set of thin film microcrystalline silicon samples, with structures varying from amorphous to fully microcrystalline. The samples were excited at wavelengths 800 and 400 nm and studied at temperatures down to 20 K. The character of nanoscopic electrical transport properties markedly change on a sub-picosecond time scale. The initial transient photoconductivity of the samples is dominated by hot free carriers with a mobility of 70 cm2/Vs. These carriers are rapidly (within 0.6 ps) trapped into weakly localized hopping states. The hopping process dominates the THz spectra on the picosecond and sub-ns time scales. The saturated high-frequency value of the hopping mobility is limited by the sample disorder in the amorphous sample and by electron-phonon interaction for microcrystalline samples. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1