Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0312859
Název	Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As
Překlad názvu	Litograficky a elektricky ovladane vlivy mechanickych deformaci na AMR v (Ga,Mn)As
Tvůrce(i)	De Ranieri, E. (GB) Rushforth, A.W. (GB) Výborný, Karel (FZU-D)_{RID, ORCID} Rana, U. (GB) Ahmad, E. (GB) Campion, R. P. (GB) Foxon, C. T. (GB) Gallagher, B. L. (GB) Irvine, A.C. (GB) Wunderlich, J. (GB) Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	New Journal of Physics. Roč. 10, č. 6 (2008), 065003/1-065003/19. - : Institute of Physics Publishing
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KJB100100802 GA AV ČR - Akademie věd
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
	GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	DE
Klíč.slova	anomalous Hall effect * Keldysh formalism * Rashba system
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0163813

Počet záznamů: 1