- InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing la…
Počet záznamů: 1  

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

  1. 1.
    HAZDRA, P., OSWALD, Jiří, ATEF, M., KULDOVÁ, Karla, HOSPODKOVÁ, Alice, HULICIUS, Eduard, PANGRÁC, Jiří. InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. 2008, 147(-), 175-178. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.