Počet záznamů: 1
Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II
- 1.
SYSNO ASEP 0303687 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II Tvůrce(i) Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Procházková, Olga (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)Zdroj.dok. Science Foundation in China
Roč. 7, č. 2 (1999), s. 48-51Poč.str. 4 s. Akce Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./ Datum konání 13.09.1999-14.09.1999 Místo konání Beijing Země CN - Čína Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CN - Čína Klíč. slova rare earth compounds ; III-V semiconductors ; photoluminescence Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Překlad anotace The influence of rare-earth elements (Nd, Pr and Yb) addition during the LPE growth of InP layers is reported. Temperature dependent Hall effect shows quite dramatic impact on shallow impurity and free-carrier concentrations. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra permit an individual determination of the acceptor and donor binding energies. Thermal quenching effect of Yb.sup.3+.sup. luminescence has been observed and discussed in terms of RE excitation and de-excitation mechanisms. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1