Počet záznamů: 1
Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In.sub.0.5./sub.Ga.sub.0.5./sub.P
- 1.
SYSNO 0303478 Název Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In0.5Ga0.5P Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Nohavica, Dušan (URE-Y)Zdroj.dok. Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics. s. 52-58 / Yu J. Vyd. údaje Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999 Konference Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./, Beijing, 13.09.1999-14.09.1999 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074, CZ - Česká republika CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. CN Klíč.slova III-V semiconductors * Hall effect Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0113693
Počet záznamů: 1