Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga, Mn)As

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0134208
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga, Mn)As
Tvůrce(i)	Mašek, Jan (FZU-D)_RID Kudrnovský, Josef (FZU-D)_{RID, ORCID} Máca, František (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Physical Review. B - ISSN 0163-1829 Roč. 67, č. 15 (2003), s. 153203-1 - 153203-4
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	diluted magnetic semiconductors ; total energy ; impurities
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA1010214 GA AV ČR - Akademie věd
	GA202/00/0122 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	LDA calculations are used to find compositional dependence of the lattice constant of (Ga, Mn)As with defect. Only the presence of the defects can explain the observed expansion of the lattice.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2004

Počet záznamů: 1