0134208 - FZU-D 20030101 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mašek, Jan - Kudrnovský, Josef - Máca, František
Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga, Mn)As.
Physical Review. B. Roč. 67, č. 15 (2003), s. 153203-1 - 153203-4. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010214; GA ČR GA202/00/0122
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: diluted magnetic semiconductors * total energy * impurities
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.962, rok: 2003

LDA calculations are used to find compositional dependence of the lattice constant of (Ga, Mn)As with defect. Only the presence of the defects can explain the observed expansion of the lattice.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032123