Počet záznamů: 1
Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs
- 1.
SYSNO ASEP 0134201 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs Tvůrce(i) Dózsa, L. (HU)
Horváth, Z. J. (HU)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Gombia, E. (IT)
Frigeri, P. (IT)
Mosca, R. (IT)
Franchi, S. (IT)
Pécz, B. (HU)
Dobos, L. (HU)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Conferences and critical reviews - ISSN 1610-1634
Roč. 0, č. 3 (2003), s. 975-980Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova quantum dots ; point defects ; InAs/GaAs Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace InAs/GaAs quantum dot structures were investigated by capacitance and TEM methods. Generation of point defect cluster is strongly enhanced by quantum dot growth. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2004
Počet záznamů: 1