InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0134200
Název	InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy
Tvůrce(i)	Hazdra, P. (CZ) Voves, J. (CZ) Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. Roč. 248, - (2003), s. 328-332. - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
	MSM 212300014
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	electroluminescence * isovalent .delta.-layers * photocurrent spectroscopy * MOVPE * InAs/GaAs
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0032116

Počet záznamů: 1