Počet záznamů: 1
InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0134200 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy Tvůrce(i) Hazdra, P. (CZ)
Voves, J. (CZ)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 248, - (2003), s. 328-332Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova electroluminescence ; isovalent .delta.-layers ; photocurrent spectroscopy ; MOVPE ; InAs/GaAs Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D MSM 212300014 Anotace Photocurrent, electroluminescence, and photoluminescence spectroscopy were used for the characterisation of laser structures containing InAs .delta.-layers in GaAs matrix surrounded by AlGaAs waveguide and grown by low-pressure metal organic vapour phase epitaxy. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2004
Počet záznamů: 1