Počet záznamů: 1
InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy
SYS 0134200 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20210803155114.5 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a InAs .delta.-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 248, - (2003), s. 328-332 $1 210 $c Elsevier 610 1-
$a electroluminescence 610 1-
$a isovalent .delta.-layers 610 1-
$a photocurrent spectroscopy 610 1-
$a MOVPE 610 1-
$a InAs/GaAs 700 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0019655 $a Voves $b J. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1