Počet záznamů: 1
Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0134081 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE Tvůrce(i) Toušková, J. (CZ)
Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Samokhin, Jevgen (FZU-D)
Toušek, J. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Výborný, Zdeněk (FZU-D)Zdroj.dok. Seventh European Photovoltaic Solar Energy Conference / McNelis B. ; Palz W. ; Ossenbrink H.A. ; Helm P.. - Florence : WIPMunich and ETAFlorence, 2002 - ISBN 88-900442-3-3 Rozsah stran s. 146-148 Poč.str. 3 s. Akce European Photovoltaic Solar Energy Conference /17./ Datum konání 22.10.2001-26.10.2001 Místo konání Munich Země DE - Německo Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. IT - Itálie Klíč. slova thermophotovoltaics ; gallium arsenide based cells ; GaSb Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace The purpose of our work was the evaluation of GaSb/GaAs heterostructures grown on GaAs substrateas for the thermovoltaics.heterojunctions p-GaSb/n-GaAs with p-layer prepared by MOVPE method at growth temperatures from 500 to 560 o C were investigated. Our results show that p-GaSb/n-GaAs heterojunctions prepared by this MOVPE method are not enough suitable for use in TPV. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1