Importance of the transport isotropy in ćc:Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperature

Name: Importance of the transport isotropy in ćc:Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperature
Availability: OutOfStock

Švrček, Vladimír; Fejfar, Antonín; Fojtík, Petr; Mates, Tomáš; Poruba, Aleš; Stuchlíková, Hana; Pelant, Ivan; Kočka, Jan; Nasuno, Y.; Kondo, M.; Matsuda, A.

Počet záznamů: 1

Importance of the transport isotropy in ćc:Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperature

1.

SYSNO ASEP	0134050
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Importance of the transport isotropy in ćc:Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperature
Tvůrce(i)	Švrček, Vladimír (FZU-D) Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Fojtík, Petr (FZU-D) Mates, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID} Poruba, Aleš (FZU-D)_RID Stuchlíková, Hana (FZU-D) Pelant, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Nasuno, Y. (JP) Kondo, M. (JP) Matsuda, A. (JP)
Zdroj.dok.	Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093 299-302, - (2002), s. 395-399
Poč.str.	5 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	ćcSi:H thin films ; optoelectronic properties
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	The influence of the substrate temperature on structure and optoelectronic properties in the range from 150 to 350_oC was explored.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2003

Počet záznamů: 1