Počet záznamů: 1
Microwave GaAs Schottky diode
- 1.
SYSNO ASEP 0133940 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Microwave GaAs Schottky diode Tvůrce(i) Macháč, P. (CZ)
Jeníček, V. (CZ)
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hoffmann, K. (CZ)Zdroj.dok. ASDAM'02 / Breza J. ; Donoval D.. - Hoes Lane : IEEE Copyrights Manager, 2002 - ISBN 0-7803-7276-X Rozsah stran s. 125-128 Poč.str. 4 s. Akce International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /4./ Datum konání 14.10.2002-16.10.2002 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaAs ; contacts ; Shottky diode Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace It was developed and realized the process of preparation of Shottky structuresusing the side-by-side technique with the limiting frequency of 13GHz. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1