Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0133391
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure
Tvůrce(i)	Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Stuchlíková, Hana (FZU-D) Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Švrček, Vladimír (FZU-D) Fojtík, Petr (FZU-D) Pelant, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Solid State Phenomena - ISSN 1012-0394 80-81, - (2001), s. 213-224
Poč.str.	12 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CH - Švýcarsko
Klíč. slova	microcrystalline silicon ; transport ; microstructure
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR
	IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	A02/98:Z1-010-914
Anotace	Intrinsic microcrystalline silicon samples were prpared close to the border between microcrystalline and amorphous grouwth in order to obtain a thick transition layer which allowed a detailed study of relation of transport and microstructure.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2002

Počet záznamů: 1