Počet záznamů: 1
Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique
- 1.
SYSNO ASEP 0133390 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique Tvůrce(i) Kudrna, J. (CZ)
Trojánek, F. (CZ)
Malý, P. (CZ)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 79, č. 5 (2001), s. 626-628Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova microcrysralline silicon ; carrier diffusion Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd CEZ A02/98:Z1-010-914 Anotace We report on the picosecond laser induced grating technique applied to hydrogenated microcrystalline silicon and aimed at studying the photocarrier diffusion coefficient. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1