Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0133390
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique
Tvůrce(i)	Kudrna, J. (CZ) Trojánek, F. (CZ) Malý, P. (CZ) Pelant, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951 Roč. 79, č. 5 (2001), s. 626-628
Poč.str.	3 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	microcrysralline silicon ; carrier diffusion
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
	IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	A02/98:Z1-010-914
Anotace	We report on the picosecond laser induced grating technique applied to hydrogenated microcrystalline silicon and aimed at studying the photocarrier diffusion coefficient.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2002

Počet záznamů: 1