Počet záznamů: 1  

Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique

  1. 1.
    SYSNO ASEP0133390
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevCarrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique
    Tvůrce(i) Kudrna, J. (CZ)
    Trojánek, F. (CZ)
    Malý, P. (CZ)
    Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Zdroj.dok.Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
    Roč. 79, č. 5 (2001), s. 626-628
    Poč.str.3 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovamicrocrysralline silicon ; carrier diffusion
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPIAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
    IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZA02/98:Z1-010-914
    AnotaceWe report on the picosecond laser induced grating technique applied to hydrogenated microcrystalline silicon and aimed at studying the photocarrier diffusion coefficient.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2002

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.