Počet záznamů: 1
MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers
- 1.
SYSNO ASEP 0133218 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers Tvůrce(i) Wilk, A. (FR)
Genty, F. (FR)
Fraisse, B. (FR)
Boissier, G. (FR)
Grech, P. (FR)
Gazouli El, M. (FR)
Christol, P. (FR)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Joullié, A. (FR)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 223, - (2001), s. 341-348Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace The growth by solid source molecular beam epitaxy of type-II InAsSb/InAs multi-quantum well laser diodes on InAs has been studied. Mesa-stripe laser diodes processed from the epitaxied structures operated at 3.5 microm in pulsed regime up to 220 K, with a threshold current density of 130A/cm2 at 90 K and a peak optical power efficiency of 50mW/A/facet. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1