Počet záznamů: 1
MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers
SYS 0133218 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20210803155039.9 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers 215 $a 8 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 223, - (2001), s. 341-348 $1 210 $c Elsevier 700 -1
$3 cav_un_auth*0063613 $4 070 $a Wilk $b A. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063776 $4 070 $a Genty $b F. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063777 $4 070 $a Fraisse $b B. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063778 $4 070 $a Boissier $b G. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063612 $4 070 $a Grech $b P. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063779 $4 070 $a Gazouli El $b M. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0063614 $4 070 $a Christol $b P. $y FR 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $w Semiconductors $4 070 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $4 070 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $w Semiconductors $4 070 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0063780 $4 070 $a Joullié $b A. $y FR
Počet záznamů: 1