Počet záznamů: 1
Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown
- 1.
SYSNO 0133004 Název Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown Tvůrce(i) Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Schowalter, D. (DE)
Prettl, W. (DE)Zdroj.dok. Physical Review B. Roč. 62, č. 24 (2000), s. 16768-16772 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1010011 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. US Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0030995
Počet záznamů: 1