Počet záznamů: 1  

Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown

  1. SYS0133004
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20250429131427.3
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown
    215
      
    $a 5 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0257431 $1 011 $a 0163-1829 $1 200 1 $a Physical Review B $v Roč. 62, č. 24 (2000), s. 16768-16772
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100416 $a Novák $b Vít $p FZU-D $w Spintronics and Nanoelectronics $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100166 $a Cukr $b Miroslav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0045383 $a Schowalter $b D. $y DE $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0039235 $a Prettl $b W. $y DE $4 070

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.