Počet záznamů: 1
Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas
- 1.
SYSNO ASEP 0132974 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas Tvůrce(i) Nakahata, K. (JP)
Kamiya, T. (JP)
Fortmann, C. M. (JP)
Shimizu, I. (JP)
Stuchlíková, Hana (FZU-D)
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093
266-269, - (2000), s. 341-346Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Structural and transport anisotropy of low temperature polycrystalline silicon were studied. Poly-Si films with (220) preferential orientation were fabricated by very-high-frequency chemical vapor deposition from SiF4 and H2 mixtures. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1