Počet záznamů: 1
InAs(PSb) - based "W" quantum well laser diodes emitting near 3.3.mu.m
- 1.
SYSNO ASEP 0132911 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs(PSb) - based "W" quantum well laser diodes emitting near 3.3.mu.m Tvůrce(i) Joullié, A. (FR)
Skouri, E. M. (FR)
Garcia, M. (FR)
Grech, P. (FR)
Wilk, A. (FR)
Christol, P. (FR)
Baranov, A. (FR)
Behres, A. (FR)
Kluth, J. (FR)
Stein, A. (FR)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 76, č. 18 (2000), s. 2499-2501Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Mid-infrared laser diodes with an active region consisting of five "W" InAsSb/InAsP/InAsSb/InAsPSb quatum wells and broad InAsPSb waveguide were fabriacted by metalorganic vapor phase epitaxy on InAs substrates. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1