Počet záznamů: 1
Temperature behavior of optical properties of Si.sup.+./sup. - implanted SiO.sub.2./sub..
- 1.
SYSNO ASEP 0132780 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Temperature behavior of optical properties of Si+ - implanted SiO2. Tvůrce(i) Valenta, J. (CZ)
Dian, J. (CZ)
Luterová, Kateřina (FZU-D)
Knápek, Petr (FZU-D)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Muller, D. (FR)
Grob, J. J. (FR)
Rehspringer, J. L. (FR)
Hönerlage, B. (FR)Zdroj.dok. European Physical Journal D. - : Springer - ISSN 1434-6060
Roč. 8, - (2000), s. 395-398Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd IAB1112901 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Silicon nanocrystals were prepared by Si+-ion implantation and subswquent annealing of SiO2 films thermally grown on a c-Si wafer. It is shown that all PL characteristics (eficiency, dynamics, temperature dependence, excitaqtion spectra) of the Si+-implanted SiO2 films bear close resemblance to those of a light-emitting porous Si and therefore are supposed similar PL origin in both materials. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1