Počet záznamů: 1
Current filament patterns in .I.n./I.-GaAs layers with different contact geometries
- 1.
SYSNO ASEP 0132771 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Current filament patterns in .I.n./I.-GaAs layers with different contact geometries Tvůrce(i) Hirschinger, J. (DE)
Niedernostheide, F. J. (DE)
Prettl, W. (DE)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Physical Review B - ISSN 0163-1829
Roč. 61, č. 3 (2000), s. 1952-1958Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace In thin n-GaAs epitaxial layers current filament patterns formed by low-temperature impurity breakdown have been visualized for different contact geometries. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1