Počet záznamů: 1
Sheet resistance of LiNbO.sub.3./sub. wafers processed in radio-ferquency plasma of hydrogen
- 1.
SYSNO ASEP 0132737 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Sheet resistance of LiNbO3 wafers processed in radio-ferquency plasma of hydrogen Tvůrce(i) Turčičová, Hana (FZU-D) RID, ORCID
Prachařová, Jarmila (FZU-D)
Červená, Jarmila (UJF-V)
Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Czechoslovak Journal of Physics. - : Springer - ISSN 0011-4626
Roč. 50, S3 (2000), s. 461-465Poč.str. 5 s. Akce Symposium on Plasma Physics and Technology /19./ Datum konání 06.06.2000-09.06.2000 Místo konání Praha Země CZ - Česká republika Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech CEP GA202/98/1285 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace At a pressure of 0.5 torr and RF input power of 250W a surface layer of approximately 0.5 micrm on the LiNbO3 wafer was created in which the niobate structure was strongly injured. The sheet resistance was measured and reviewed a semiconducting character. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1